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Ausschreibung: Industrielle Maschinen - DE-Bonn
Industrielle Maschinen
Dokument Nr...: 571049-2019 (ID: 2019120309113604867)
Veröffentlicht: 03.12.2019
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  DE-Bonn: Industrielle Maschinen
   2019/S 233/2019 571049
   Auftragsbekanntmachung
   Lieferauftrag
   Rechtsgrundlage:
   Richtlinie 2014/24/EU
   Abschnitt I: Öffentlicher Auftraggeber
   I.1)Name und Adressen
   Offizielle Bezeichnung: Deutsche Forschungsgemeinschaft
   Ort: Bonn
   NUTS-Code: DEA22
   Land: Deutschland
   E-Mail: [6]boris.licker@dfg.de
   Internet-Adresse(n):
   Hauptadresse: [7]http://www.dfg.de
   I.2)Informationen zur gemeinsamen Beschaffung
   I.3)Kommunikation
   Die Auftragsunterlagen stehen für einen uneingeschränkten und
   vollständigen direkten Zugang gebührenfrei zur Verfügung unter:
   [8]https://www.evergabe-online.de/tenderdetails.html?id=297841
   Weitere Auskünfte erteilen/erteilt die oben genannten Kontaktstellen
   Angebote oder Teilnahmeanträge sind einzureichen elektronisch via:
   [9]https://www.evergabe-online.de/tenderdetails.html?id=297841
   I.4)Art des öffentlichen Auftraggebers
   Andere: e. V.
   I.5)Haupttätigkeit(en)
   Andere Tätigkeit: Forschungsförderung
   Abschnitt II: Gegenstand
   II.1)Umfang der Beschaffung
   II.1.1)Bezeichnung des Auftrags:
   Beschaffung einer ICP-RIE zum sanften Tiefatzen von
   Halbleiter-Nanostrukturen
   Referenznummer der Bekanntmachung: EXC 2123/2019 (A 798)
   II.1.2)CPV-Code Hauptteil
   42000000
   II.1.3)Art des Auftrags
   Lieferauftrag
   II.1.4)Kurze Beschreibung:
   Beschaffung einer ICP-RIE zum sanften Tiefatzen von
   Halbleiter-Nanostrukturen.
   II.1.5)Geschätzter Gesamtwert
   II.1.6)Angaben zu den Losen
   Aufteilung des Auftrags in Lose: nein
   II.2)Beschreibung
   II.2.1)Bezeichnung des Auftrags:
   II.2.2)Weitere(r) CPV-Code(s)
   II.2.3)Erfüllungsort
   NUTS-Code: DE91
   Hauptort der Ausführung:
   TU Braunschweig
   II.2.4)Beschreibung der Beschaffung:
   Es soll eine ICP-RIE (RIE: Reactive Ion Etching; ICP: Inductively
   Coupled Plasma) zum sanften Tiefätzen von Halbleiter-Nanostrukturen
   angeschafft werden. Die Anlage soll optimiert sein für das ICP Ätzen
   von nitridischen Halbleitern für optoelektronische und elektronische
   Anwendungen. Auch Phosphidische und Arsenidische Halbleiter sollen
   grundsätzlich bearbeitet werden können.
   Die Anlage wird von mehreren Nutzern in einer Umgebung verwendet, in
   der sowohl Forschung als auch Kleinserien-Produktion stattfindet. Die
   Anlage muss deshalb auf die Bedienung durch mehrere Nutzer ausgelegt
   sein.
   Im Einzelnen sind folgende Mindestanforderungen zu erfüllen:
    Vakuum-Probenschleuse:
   Die Anlage benötigt eine Schleuse zum zügigen Ein- und Ausschleusen von
   Proben, ohne dass das Vakuum in der Anlage gebrochen werden muss. Die
   UHV-seitige Bedienung der Schleuse (Abpumpen, Belüften) muss
   automatisiert erfolgen. Das herunterfahren von ggf. Turbo-Pumpen ist in
   einem automatisierten, sanften Modus zu gewährleisten,
    Sicherheitsabschaltung:
   Die gesamte Anlage muss eine automatische Prozedur zum sicheren
   Herunterfahren der Anlage und aller Pumpen und sonstiger Systeme der
   Anlage besitzen,
    Probengröße:
   Der Reaktor muss Proben bis zu einem Durchmesser von mindestens 200 mm
   (8 Zoll) verarbeiten können,
    Wafer-Temperatur:
   Zur Kontrolle der Wafer-Temperatur ist neben einer Heizung auch eine
   Helium-Rückseitenkühlung notwendig,
    Gas-Handling-System:
   Für die geplanten Prozesse werden mindestens 6 MFC-geregelte
   Gasleitungen benötigt, davon mindestens 2 mit Bypass für korrosive
   Medien (in diesem Fall: Cl2 und BCl3),
    HF-Leistung:
   Die maximale HF-Leistung (Substratelektrode) muss mindestens 300 W, die
   maximale ICP-Leistung mindestens 1 200 W betragen,
    Anlagensteuerung und Prozesskontrolle:
   Automatisierte Steuerungsmöglichkeiten müssen vorhanden sein (PC, inkl.
   Software). Der Prozess muss zur besseren Reproduzierbarkeit automatisch
   überwacht werden (z. B. die Einhaltung der Setpoints) und die
   Prozessdaten müssen für eine spätere Auswertung möglichst detailliert
   dauerhaft gespeichert werden können. Ein Blindflansch (später dann mit
   Quarzglasfenster auszustatten) sollte bereitstehen, damit später eine
   optische Emissions-Spektroskopie-Analyse nachgerüstet werden kann,
    Größe des Geräts:
   Die Größe des Geräts (ohne zusätzliche Aufbauten wie z. B. Pumpen oder
   Kontrollracks) sollte möglichst kompakt sein und die Breite/Länge
   sollte 1000 mm/2000 mm keinesfalls überschreiten. Eine oder mehrere
   Seitenwände des Geräts (zumindest eine der Längsseiten) sollte in die
   Reinraumwand integrierbar sein. Der Bereich um das Gerät, der zur
   Wartung und Reparatur benötigt wird, sollte eine Breite von 80 cm um
   das Gerät herum nicht überschreiten,
    Prozess-Spezifikationen:
   Wir erwarten, dass der Hersteller Standard-Rezepte, insbesondere zum
   Ätzen von AlGaN, GaN, InGaN, und zum Reinigen des Reaktors mitliefert
   und auch vor Ort demonstriert. Key Performance Indicators des
   Ätzprozesses sind anzugeben,
    Abgasreinigung und Sicherheit:
   Ein Abgasreinigungssystem inklusive Sicherheitsvorrichtungen ist für
   den Betrieb der Anlage unabdingbar und sollte direkt vom Hersteller mit
   angeboten werden, da dieser am besten weiß, welche Reinigungssysteme
   die gesetzlichen Anforderungen am besten erfüllen,
    Spezifizierte Prozesse:
   Folgende Prozesse müssen in der Anlage durchführbar sein: GaN
   (Al0.7Ga0.3N) mit SiOx oder SiN Masken muss mit Raten von mindestens
   0,5 m/min (0,3 m/min) geätzt werden können. Die Selektivität von GaN
   zur SiOx und SiN Maske sollte mindestens 5:1 (3:1) oder höher sein. Der
   Flankenwinkel der tiefgeätzten GaN Strukturen sollte mindestens 85^o
   betragen. Die RMS Rauheit der GaN Oberfläche nach dem Ätzen (mit einer
   Ätztiefe von mindestens 1 m) sollte geringer als 10 nm sein.
   II.2.5)Zuschlagskriterien
   Die nachstehenden Kriterien
   Qualitätskriterium - Name: technischer Wert / Gewichtung: 50
   Preis - Gewichtung: 50
   II.2.6)Geschätzter Wert
   II.2.7)Laufzeit des Vertrags, der Rahmenvereinbarung oder des
   dynamischen Beschaffungssystems
   Laufzeit in Tagen: 1
   Dieser Auftrag kann verlängert werden: nein
   II.2.9)Angabe zur Beschränkung der Zahl der Bewerber, die zur
   Angebotsabgabe bzw. Teilnahme aufgefordert werden
   II.2.10)Angaben über Varianten/Alternativangebote
   Varianten/Alternativangebote sind zulässig: ja
   II.2.11)Angaben zu Optionen
   Optionen: nein
   II.2.12)Angaben zu elektronischen Katalogen
   II.2.13)Angaben zu Mitteln der Europäischen Union
   Der Auftrag steht in Verbindung mit einem Vorhaben und/oder Programm,
   das aus Mitteln der EU finanziert wird: nein
   II.2.14)Zusätzliche Angaben
   Abschnitt III: Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische
   Angaben
   III.1)Teilnahmebedingungen
   III.1.1)Befähigung zur Berufsausübung einschließlich Auflagen
   hinsichtlich der Eintragung in einem Berufs- oder Handelsregister
   III.1.2)Wirtschaftliche und finanzielle Leistungsfähigkeit
   III.1.3)Technische und berufliche Leistungsfähigkeit
   III.1.5)Angaben zu vorbehaltenen Aufträgen
   III.2)Bedingungen für den Auftrag
   III.2.2)Bedingungen für die Ausführung des Auftrags:
   Vorsorglich weisen wir darauf hin, dass eine Auftragsvergabe nur auf
   der Grundlage der beigefügten Allgemeinen Geschäftsbedingungen für
   Lieferungen und Leistungen erfolgen wird. Deren Akzeptanz ist mit dem
   Teilnahmeantrag zu bestätigen.
   III.2.3)Für die Ausführung des Auftrags verantwortliches Personal
   Abschnitt IV: Verfahren
   IV.1)Beschreibung
   IV.1.1)Verfahrensart
   Verhandlungsverfahren
   IV.1.3)Angaben zur Rahmenvereinbarung oder zum dynamischen
   Beschaffungssystem
   IV.1.4)Angaben zur Verringerung der Zahl der Wirtschaftsteilnehmer oder
   Lösungen im Laufe der Verhandlung bzw. des Dialogs
   IV.1.5)Angaben zur Verhandlung
   IV.1.6)Angaben zur elektronischen Auktion
   IV.1.8)Angaben zum Beschaffungsübereinkommen (GPA)
   Der Auftrag fällt unter das Beschaffungsübereinkommen: nein
   IV.2)Verwaltungsangaben
   IV.2.1)Frühere Bekanntmachung zu diesem Verfahren
   IV.2.2)Schlusstermin für den Eingang der Angebote oder Teilnahmeanträge
   Tag: 13/01/2020
   Ortszeit: 12:00
   IV.2.3)Voraussichtlicher Tag der Absendung der Aufforderungen zur
   Angebotsabgabe bzw. zur Teilnahme an ausgewählte Bewerber
   IV.2.4)Sprache(n), in der (denen) Angebote oder Teilnahmeanträge
   eingereicht werden können:
   Deutsch
   IV.2.6)Bindefrist des Angebots
   IV.2.7)Bedingungen für die Öffnung der Angebote
   Abschnitt VI: Weitere Angaben
   VI.1)Angaben zur Wiederkehr des Auftrags
   Dies ist ein wiederkehrender Auftrag: nein
   VI.2)Angaben zu elektronischen Arbeitsabläufen
   VI.3)Zusätzliche Angaben:
   VI.4)Rechtsbehelfsverfahren/Nachprüfungsverfahren
   VI.4.1)Zuständige Stelle für Rechtsbehelfs-/Nachprüfungsverfahren
   Offizielle Bezeichnung: Bundeskartellamt  Vergabekammer des Bundes
   Ort: Bonn
   Land: Deutschland
   VI.4.2)Zuständige Stelle für Schlichtungsverfahren
   VI.4.3)Einlegung von Rechtsbehelfen
   VI.4.4)Stelle, die Auskünfte über die Einlegung von Rechtsbehelfen
   erteilt
   VI.5)Tag der Absendung dieser Bekanntmachung:
   02/12/2019
References
   6. mailto:boris.licker@dfg.de?subject=TED
   7. http://www.dfg.de/
   8. https://www.evergabe-online.de/tenderdetails.html?id=297841
   9. https://www.evergabe-online.de/tenderdetails.html?id=297841
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             Database Operation & Alert Service (icc-hofmann) for:
       The Office for Official Publications of the European Communities
                The Federal Office of Foreign Trade Information
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